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BSS83P H6327 /MOSFET P-Ch SOT-23-3
BSS83P H6327的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:330 mA

Rds On-漏源导通电阻:3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:2.38 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:0.24 S

下降时间:61 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:71 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:56 ns

典型接通延迟时间:23 ns

零件号别名:BSS83PH6327XT BSS83PH6327XTSA1 SP000702486

单位重量:8 mg

供应商BSS83P H6327
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深圳市坤融电子有限公司BSS83P H6327航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSS83P H6327深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司BSS83P H6327广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237
谢先生Email:3003989381@qq.com询价
集好芯城BSS83P H6327深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城BSS83P H6327深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
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雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司BSS83P H6327深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司BSS83P H6327深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市宸远科技有限公司BSS83P H6327深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
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深圳市创科捷佳电子有限公司BSS83P H6327深圳市福田区中航路鼎诚大厦10楼1009-11090755-82722720
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深圳市安富世纪电子有限公司BSS83P H6327深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳和润天下电子科技有限公司BSS83P H6327深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司BSS83P H6327深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市河锋鑫科技有限公司BSS83P H6327华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市宇浩扬科技有限公司BSS83P H6327深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司BSS83P H6327深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司BSS83P H6327深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市芯泽盛世科技有限公司BSS83P H6327龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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BSS83P H6327连续漏极电流(Id)(25°C 时):330mA(Ta) 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2V @ 80uA 漏源导通电阻:2Ω @ 330mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:P沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO477.88 Kbytes共10页BSS83P H6327的PDF下载地址
BSS83P H6327的全球分销商及价格
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BSS83P H6327InfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品3000+:¥0.46
6000+:¥0.41
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Mouser 贸泽电子
BSS83P H6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch SOT-23-31:¥3.2318
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BSS83P H6327Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):330mA(Ta) 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2V @ 80uA 漏源导通电阻:2Ω @ 330mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:P沟道1+:¥1.2579
200+:¥0.4868
500+:¥0.4697
1000+:¥0.4613